Jeigu dar pamenate seniau rašėme, kad DDR4 operatyvioji atmintis galės pasiekti įspūdingus veikimo dažnius. Šiandien Samsung paskelbė, jau sukūrusi bandomuosius DDR4 modulius pasitelkę 30nm gamybos technologiją.

Kompanijos DDR4 DRAM veikė 2133MHz dažniu su vos 1.2V įtampa, kad ramai galėtų dirbti tokia maža įtampa, buvo naudojama POD(Pseudo Open Drain) technologija, kuri sumažina energijos suvartojima beveik iki 40 proc. Kaip teigia Samsung viename modulyje jie sugebėjo sutalpinti iki 2GB atminties (UDIMM), o ramus sugebėjo paleisti dviejų kanalų rėžimu

Norėčiau priminti, kad tai ne pirmas kartas kai Samsung pirmieji pagamina RAM modulius, kadangi ir DDR ir DDR2 ir DDR3 DRAM pirmieji "kaulai" buvo sukurti būtent Samsung.